En el transistor de la figura 1b, el emisor inyecta electrones en la base. Por consiguiente, para un
emisor de tipo N el símbolo es una flecha que señala en dirección contraria a la base y opuesta
al flujo de electrones.
en los símbolos para transistores, el emisor es el único que tiene una flecha. Cuando ésta apunta
hacia la base, el transistor es PNP; en caso contrario, el transistor es NPN. En la práctica, todos
los transistores pequeños utilizados en amplificadores de audio y RF son de tipo NPN,
fabricados con silicio y con voltajes de polarización directa entre la base y el emisor de 0.6 v.
- COLECTOR.
La función de este electrodo es remover las cargas de su unión con la base. En la figura 1a, el
transistor PNP tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor NPN de la figura 1b, el
colector N recibe electrones.
La unión base-colector siempre tiene un voltaje con polarización inversa. Los valores más
frecuentes de este voltaje varían de 4 a 100 v. La polarización inversa impide el flujo de
portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la dirección opuesta, de la
base hacia el colector, el voltaje en este último atrae las cargas en la base que proporciona el
emisor.
- BASE.
La base separa el colector del emisor. La unión base-emisor tiene polarización directa y, por
tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unión base-colector tiene
polarización inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande.
- CORRIENTE DE COLECTOR.
El requisito final para que el transistor funcione es que el circuito base-emisor controle la
corriente del colector. El emisor tiene una contaminación considerable de impurezas con el fin
de proporcionar portadores mayoritarios. Sin embargo, la base tiene una cantidad pequeña de
impurezas y es muy delgada, lo cual permite que las cargas puedan moverse hacia la unión con
el colector. El voltaje en el colector es relativamente grande. Como consecuencia de estos
factores, prácticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por el
circuito del colector.
Es común que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la corriente
del colector Ic. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib.
Por ejemplo, considérense las corrientes en un transistor NPN. El emisor N inyecta electrones
en la base P. En ella, los electrones son portadores minoritarios.
Como consecuencia de las escasas impurezas contenidas en la base, muy pocos electrones
pueden recombinarse con los huecos de la base. Cualquier nueva combinación de cargas en la
base genera una corriente de retorno Ib muy pequeña, que circula de la base hacia el emisor.
En la unión base-emisor existe una concentración muy alta de electrones libres gracias a la
polarización directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones fluyen a lo largo de
la base hacia la unión con el colector.
