INTRODUCCIÓN AL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
El transistor de efecto de campo ( FET = Field-Effect Transistor ) es un
dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de
aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al
transistor BJT.
La diferencia principal entre las-dos clases de transistores es el hecho de
que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la
corriente Ic la es una función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID
ser una función del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, en cada caso la
corriente de la salida del circuito se controla por un par metro del circuito de
entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado.
Figura 5.1 Amplificador controlado por corriente (a) y (b) amplificador
controlado por voltaje.
Así como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante tener en cuenta
que el transistor BJT es un dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que el nivel de
conducción es una función de dos portadores de carga, electrones y huecos). El
FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente ya sea de la conducción
por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p).
El termino "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una explicación.
Todos estamos familiarizados con la habilidad de un imán permanente de atraer
limaduras de metal sin necesidad de un contacto físico directo.
El campo magnético‚ de un imán permanente actúa sobre las limaduras y
las atrae hacia el imán a través de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo
magnético, para mantenerlas a tan corta distancia como sea posible. Para el FET
se establece un campo eléctrico por medio de las cargas presentes que
