controlaran la trayectoria de conducción del circuito de salida, sin necesidad de un
contacto directo entre la cantidad que controla y la que es controlada.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones
semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a
comparar algunas de las características generales de uno contra el otro.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones
semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a
comparar algunas de las características generales de uno contra el otro.
CONSTRUCCIÓN DE LOS JFET.
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres
terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las
otras dos. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor
npn
a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño, con una sección
dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor
pnp.
Para el transistor
JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante, con
párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de
canal-p.
La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2.
Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo
n
que forma el
canal entre las capas difundidas en material tipo
p.
El extremo superior del canal tipo
n
se conecta mediante contacto óhmico a
la terminal denominada como
drenaje
(drain)
(D),
mientras que el extremo inferior
del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada
la
fuente
(source)
(S).
Los dos materiales tipo
p
se encuentran conectados juntos y al mismo
tiempo hacia la terminal de
compuerta
(gate)
(Q).
Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los
extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo
p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos
uniones p-n bajo condiciones sin polarización.
El resultado es una región de agotamiento en cada unión, como se ilustra
en la figura 5.2, que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin
polarización.
