Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región
carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conducción a
través de la región.
Figura 5.2 Transistor de unión de efecto de campo (JFET).
Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser
engañosas, pero la analogía hidráulica de la figura 5.3 proporciona un sentido al
control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la
terminología aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presión del
agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual
establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La
"compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial), controla el flujo del agua
(carga) hacia el "drenaje".
Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del
canal-n, como se ilustra en la figura 5.2, debido a que la terminología se define
para el flujo de electrones.
Figura 5.3 Analogía hidráulica para el mecanismo de
control del JFET.
CIRCUITOS DE APLICACIÓN
En la figura 5.4 se ha aplicado un voltaje positivo
VDS y
a través del canal y
la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la
condición
VGS
= 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se
hallan al mismo potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior
