de cada material
p,
semejante a la distribución de las condiciones sin polarización
de la figura 5.2. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones
serán atraídos hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente
convencional ID con la dirección definida de la figura 5.4. La trayectoria del flujo de
carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes
(
ID
=
Is).
Bajo las condiciones que aparecen en la figura 5.4, el flujo de carga es
relativamente permitido y limitado únicamente por la resistencia del canal-n entre
el drenaje y la fuente.
Figura 5.4 JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.
Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca
del extremo superior de ambos materiales tipo
p.
La razón para el cambio en la anchura de la región se puede describir mejor
con la ayuda de la figura 5.5. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n,
la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura 5.5.
La corriente
ID
establecerá los niveles de voltaje a través del canal, como se
indica en la misma figura.
El resultado es que la región superior del material tipo
p
estará
inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la región inferior
inversamente polarizada sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación de la
operación del diodo, que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada, mayor
será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la distribución de la región de
agotamiento que se muestra en la figura 5.5. El hecho de que la unión
p-n
esté
