inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de
compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG =
O A es una importante característica del JFET.
Figura 5.5 Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la
unión p-n de un JFET de canal n.
En cuanto el voltaje
VDS
se incrementa de O a unos cuantos voltios, la
corriente aumentará según se determina por la ley de Ohm, y la gráfica de
ID
contra
VDS
aparecerá como se ilustra en la figura 5.6.
La relativa linealidad de la gráfica revela que para la región de valores
inferiores de VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida que
VDS
se incrementa y se aproxima a un nivel denominado como
Vp
en la figura
5.6, las regiones de agotamiento de la figura 5.4 se ampliarán, ocasionando una
notable reducción en la anchura del canal.
La reducida trayectoria de conducción causa que la resistencia se
incremente, y provoca la curva en la gráfica de la figura 5.6. Cuanto más horizontal
sea la curva, más grande será la resistencia, lo que sugiere que la resistencia se
aproxima a "infinitos" ohmios en la región horizontal. Si
VDS
se incrementa hasta
un nivel donde parezca que las dos regiones de agotamiento se "tocarían", como
se ilustra en la figura 5.7, se tendría una condición denominada como
estrechamiento
(pinch-off). El nivel de
VDS
que establece esta condición se
conoce como el voltaje dé estrechamiento y se denota por Vp, como se muestra
en la figura 5.6. En realidad, el término "estrechamiento" es un nombre
inapropiado en cuanto a que sugiere que la corriente
iD
disminuye, al estrecharse
el canal, a 0 A. Sin embargo, como se muestra en la figura 5.6, es poco probable
que ocurra este caso, ya que ID mantiene un nivel de saturación definido como
IDSS
en la figura 5.6. En realidad existe todavía un canal muy pequeño, con una
corriente de muy alta densidad.
El hecho de que
ID
no caiga por el estrechamiento y mantenga el nivel de
saturación indicado en la figura 5.6 se verifica por el siguiente hecho: la ausencia
