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Transistor de Efecto de Campo FET



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de una corriente de drenaje eliminaría la posibilidad de diferentes niveles de
potencial a través del canal de material n, para establecer los niveles de variación
de polarización inversa a lo largo de la unión
p-n.
El resultado sería una pérdida de
la distribución de la región de agotamiento, que ocasiona en primer lugar el
estrechamiento.
Figura 5.6 ID contra VDS para VGS =
0 V.
Figura 5.7 Estrechamiento (VGS = 0 V, VDS = Vp).
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